2030 yılında 1 trilyon transistör hedefi

Photo of author

By admin

Son dönemde küresel çip krizi ile global enflasyon nedeniyle yenilik geliştirmede yavaşlamalar olacağı ve Moore yasasının rafa kalkacağı iddialarının aksine Intel yasayı devam ettirmekte kararlı.

Moore yasası devam edecek

Yeni üretim süreçleri konusunda rakiplerinden oldukça geriye düşen ve TSMC ile üretim ortaklığı yapmak zorunda kalan Intel, 8 yıl içerisinde önemli adımlar atarak yeniden rekabete katılmayı amaçlıyor.

Intel yaptığı açıklamada Moore yasasını devam ettirebilmek adına 2030 yılına kadar yeni bir program geliştirdiğini belirtti. Bu programda transistör yoğunlukları 10 kat artarken 3 atom kalınlığında yenilikçi materyaller kullanılacak.

Silikon materyalinin kısıtlamalarını aşabilmek için dökümcüler farklı materyaller test ederken verimliliği arttırmak için de yeni dizilim yolları kullanıyor. Samsung ve TSMC yeni süreçlerde birden fazla nano bağlantı noktasını yan yana değil istifleme şeklinde dizen GAA teknolojisine geçiş yapmıştı.

Intel ise 4 ve 3nm süreçlerine kadar bağlantı noktalarını yan yana istifleme tekniğini kullanırken sonrasında ise GAA tekniğine geçmeyi planlıyor. Ayrıca PowerVia arka kısım güç dağıtım teknolojisi ve RibbonFET teknolojisi ile de verimliliği arttıracak.

Diğer taraftan Ryzen 3D tekniğine benzer şekilde transistörlerin üzerine ferroelektrik kapasitörler ile bellek yerleştiren FeRAM teknolojisi, çok daha verimli güç aktarımına izin verecek 300 milimetre yonga üzeri GaN tekniği de yine yakın gelecekte Intel müşterilerine sunulacak.

Yorum yapın

hivevape.com mcswizzlespuff.com vozol puff time
casino casino siteleri