Samsung bir süre hem bant genişliğini hem de kapasiteyi önemli ölçüde artıran yeni GDDR6W belleklerini duyurmuştu. Samsung aynı zamanda yeni nesil GDDR7 bellekler üzerindeki çalışmalarına da devam ediyor. Görünen o ki yeni nesil GDDR7 bellek standardı, mevcut GDDR6’ya göre bant genişliğini ve yoğunluğunu iki katına yükseltecek. Samsung’a ait bir sunum olduğu belirtilen ve Ian Cutress tarafından paylaşılan görsele göre yarı iletken devi, GDDR7 belleklerde 36 Gbps hız için PAM3 sinyalini kullanacak.
PAM3 sinyali kullanılacak
Geleneksel GDDR6 bellek, 14 Gb/sn‘den başlayan 24 Gb/sn seviyesine ulaşabilen veri hızlarına ulaşmak için NRZ veya PAM2 sinyalini kullanmakta. Intel’in daha önce duyurduğu 80G Thunderbolt arayüzü ve USB arayüzünün de PAM3 sinyalini kullanacağını belirtmekte fayda var. Bununla birlikte Nvidia RTX 3080 ve 3090’da yer alan Micron GDDR6X (18 Gb/sn ile 23 Gb/sn) belleklerde ise PAM4 sinyali kullanıldı.
Geleneksel NRZ sinyali, döngü başına 1 bit iletim hızı sağlarken, PAM4’ün ise döngü başına 2 bit sağladığı biliniyor. PAM3 ise daha gelişmiş bir dalga biçimi kullanarak bunu döngü başına 3 bit‘e çıkarıyor. Görsele göre Samsung, PAM3’ün NRZ sinyalinden %25 daha verimli olduğunu ve dolayısıyla da GDDR7’nin %25 daha fazla enerji verimli olacağını söylüyor. Veri hızları iki katına çıkacak
Performans tarafındaysa slaytta Samsung, 36 Gb/sn veri hızına atıfta bulunuyor. Bu değere göre GDDR7, veri hızı bakımından GDDR6 belleklere göre iki kat daha hızlı olacak. Yine bu veriye dayanarak 256 bit bellek veri yoluna sahip tipik bir GPU, 36 Gb/sn dereceli GDDR7 bellek kullanırken 1152 GB/s bellek bant genişliğine rahatlıkla ulaşabilecek. 384 bit bellek arayüzlerine sahip üst düzey GPU’lar ise 1728 GB/sn değerlerini görebilecek. Öte yandan GDDR7 belleklerin halen geliştirildiğini ve henüz piyasaya ne zaman gireceklerinin belli olmadığını belirtelim.